【摘 要】
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本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP／GaAs HBT技术，芯片尺寸分别为1.2mm×1.72mm。在3.4V工作电压的测试条件下，功率放大器芯片在390MHz时的功率增益(Gp)30dB，输出1dB压缩点功率(P-1dB)≥36dBm，P-1dB时功率附加效率(PAE)≥45％，三阶互调(IMD3)小于-33.5dBc。
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
【出 处】
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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
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本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP／GaAs HBT技术，芯片尺寸分别为1.2mm×1.72mm。在3.4V工作电压的测试条件下，功率放大器芯片在390MHz时的功率增益(Gp)30dB，输出1dB压缩点功率(P-1dB)≥36dBm，P-1dB时功率附加效率(PAE)≥45％，三阶互调(IMD3)小于-33.5dBc。
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