【摘 要】
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采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.3ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.5ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,量子点密度从2×1010cm-2减少到4×109cm-2,而量子点的直径和高度却是增加的.量子点从双模分布向单模分布转变.在低的生长温度下,成核太快造成了量子点的双模分布;而在高的生长温度下,In偏析
【机 构】
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南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学,信息光子材料与技术重点实验室,天津,300457;南开大学,泰达应用物理学院,天津,300457
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.3ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.5ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,量子点密度从2×1010cm-2减少到4×109cm-2,而量子点的直径和高度却是增加的.量子点从双模分布向单模分布转变.在低的生长温度下,成核太快造成了量子点的双模分布;而在高的生长温度下,In偏析和解析是形成量子点尺寸呈双模分布的主要原因.
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