砷沉淀相关论文
人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投......
用透射击电子显微镜和Raman散射谱对InAs/GaAs量子点材料在退火过程中微观结构的行为进行了研究,实验结果表明五周期的InAs/GaAs量......
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)中本征缺陷的影响。实验结果表明,晶体生长后的......
对未掺杂原生LECSIGaAs单晶在500-1170℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火,研究了这种热处理对EL2分布的影响,并检测了位错和As沉淀的变化。......
利用退火技术,实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长。透射电镜(TEM)研究表明,低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子眯明显变小,且密度变......
通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷......
通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热......
利用分子束磊晶(MBE)物方法在低温成长掺杂杂质Be的GaAs化合物半导体,Be将促使As于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨......
对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶在500~1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火,研究了热处理及淬火对GaAs中E......
钨铁合金中磷、砷等有害杂质含量直接影响钨铁合金的质量。按国家标准方法,钨铁合金中磷含量的测定,采用钼蓝光度法,砷含量的测定采用......
研究了多步晶片退火(MWA)工艺对垂直梯度凝固(VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor6220......
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速......