【摘 要】
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经典四探针法测试电阻率,在半导体材料、微电子硅芯片和各类半导体膜、导电膜等的研究与生产中发挥了很大作用,是一个广泛使用的检测手段.长时间以来它限于IV单一方式,要求使
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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经典四探针法测试电阻率,在半导体材料、微电子硅芯片和各类半导体膜、导电膜等的研究与生产中发挥了很大作用,是一个广泛使用的检测手段.长时间以来它限于I<,14>V<,23>单一方式,要求使用等距离的探针.如果针间距离不等或探针有游移,都会造成测量误差;当被测片较小或在大片边缘附近测量时,要计入电场畸变的影响进行边界修正,不同情况下的修正因子公式各异,也都很复杂,修正因子数据量有限,有时难以保证最终结果准确度.
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