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仲裁测量用四探针头的探讨与研制
仲裁测量用四探针头的探讨与研制
来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sophiea123456
【摘 要】
:
分析硅片电阻率、箔层方块电阻的国际标准测量方法中对探针头的规范要求,并根据这些要求,相应研制了做仲裁测量或校验用的小游移探针头.
【作 者】
:
王昕
王世进
【机 构】
:
广州市昆德科技有限公司(广州)
【出 处】
:
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
2003年期
【关键词】
:
仲裁
测量用
小游移探针头
标准测量方法
硅片电阻率
规范要求
方块电阻
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分析硅片电阻率、箔层方块电阻的国际标准测量方法中对探针头的规范要求,并根据这些要求,相应研制了做仲裁测量或校验用的小游移探针头.
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