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通过试验比较P型硅外延片的Hg探针C-V法测量电阻率中，直接测试和HF处理后测试电阻率值的差别，得出了实际应用HF处理P外延片的可行性及条件。
HF表面处理对P型外延片CV测试的影响
【摘 要】
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通过试验比较P型硅外延片的Hg探针C-V法测量电阻率中，直接测试和HF处理后测试电阻率值的差别，得出了实际应用HF处理P外延片的可行性及条件。
【机 构】
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南京国盛电子有限公司,南京 210038
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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