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采用Trim软件和C++程序，仿真研究了n型4H-SiC质子辐照的位移效应，并建立了简单准确的解析模型。仿真结果表明，经过大剂量的高能质子辐照后，4H-SiC材料都出现载流子去除效应，迁移率下降，从而导致的电导率下降。研究表明，4H-SiC材料都具有很强的抗质子辐照能力，为4H-SiC在空间环境中的应用提供理论支持。