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报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360w，增益大于8.5dB，效率大于50％。
870-1OOO MHz 360W硅微波脉冲大功率管
【摘 要】
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报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360w，增益大于8.5dB，效率大于50％。
【机 构】
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南京电子器件研究所,江苏 南京 210016
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年10期
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利用ISE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管日盲紫外光探测器电学特性，得出光电流密度在10-7A/μm2与实验结果吻合较好，验证了模型的正确性。另外，模拟了器件尺寸对电流电压曲线的影响，得出在探测器不需使用较大受光面积器件的结论。
分析了不同宽度和高度的部分SOI对导通电阻的贡献，提出了元胞重构法，建立部分SOIVDMOS的导通电阻模型。在A点处于外延层3区时，分析外延层场分布对器件内的电流分布的影响，引入吸引系数k，修正部分埋氧引入而带来场分布二级效应对电阻模型影响。结果表明，考虑二级效应的电阻模型解析懈与数值仿真结果吻合好。
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