金属氧化物半导体晶体管相关论文
问题难点:设计人员都考虑大功率MOS管焊接要求散热,于是设计人员一般都会把焊盘设计的很大,用来散热.但是问题也来了,很容易导致焊......
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通过电子辐照在功率VDMOS器件中引入少子复合中心,从而有效缩短功率VDMOS器件中的少子寿命,改善开关特性。本论文对8N60、13N60等2......
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为了解国产0.18微米混合信号集成电路抗辐射性能，本文针对集成电路用MOS晶体管，研究了其直流及1/f噪声在60Coγ电离辐射环境下的变化......
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分析了不同宽度和高度的部分SOI对导通电阻的贡献，提出了元胞重构法，建立部分SOIVDMOS的导通电阻模型。在A点处于外延层3区时，分析外......
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射频横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(RFLDMOSFET)作为功率放大器的核心器件，由于其优异的性能，而被广泛地应用于通信、雷达......
亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流......
聚焦离子束（Focused ion beam）系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中，FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅......
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过......
应力作用下MOS性能可显著提升,小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现.虽然该工艺已广泛应用于MOS性能......
期刊
研究了基于MOSFET偏微分方程(PDE)模型的电路仿真算法,并提出一种求解PDE的快速算法.当MOSFET PDE模型用于射频(RF)电路仿真时,系......
