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本文利用射频等离子体辅助分子束外延设备，开发了硅衬底上金属Be膜的沉积及原位氧化界面控制技术，通过系统研究温度对Be原子在Si(111)衬底上的沉积以及原位氧化行为的影响，获得了有利于制备单畴纤锌矿相氧化物的最佳Be0模板，为开发高质量Si基氧化物提供了新方案。基于这一独特的界面工艺，在Si(111)衬底上获得了Mg组分可在0-50％范围内调谐的高质量纤锌相MgxZnL-x0单晶薄膜。