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自从日本和香港的科学家在1998年首次报道室温光泵浦条件下ZnO薄膜的紫外受激发射后,ZnO基宽带隙半导体作为紫外发光器件和激光器......
本文利用实验与模拟相结合的方法，通过分子束外延(MBE)设备在衬底上生长了GaSb单层膜、周期分别为10、20的GaSb/InAs超晶格，用双晶X......
