【摘 要】
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本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD Zn0以及溅射后腐蚀Zn0作为衬底,研究其表面形貌对电池性能的影响.通过对比
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
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本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD Zn0以及溅射后腐蚀Zn0作为衬底,研究其表面形貌对电池性能的影响.通过对比MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬底发现,MOCVD ZnO衬底表面呈尖锐的金字塔结构,横向特征尺寸较小,有利于对短波段的光散射;溅射后腐蚀的ZnO衬底的表面为弹坑状结构,横向特征尺寸较大,长波段散射能力较强.基于这两种不同衬底的微晶硅电池表现出差异:生长在MOCVD ZnO衬底上的电池短波段的QE响应明显高于溅射后腐蚀ZnO衬底,而长波段相对较低.且由于MOCVD ZnO衬底表面尖锐的金字塔结构造成生长的器件内部的裂缝较多,开压和FF相对较差.本实验中,通过对MOCVD ZnO衬底表面进行处理,电池的电学特性有明显的提高,开压增幅达15.8％.
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