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在分析SiGe HBT工作机理的基础上,建立了物理意义明确的SiGe HBT等效电路模型.模型中传输电流I<,CT>的计算不能用漂移扩散理论,本文运用热电子发射理论对SiGe HBT GP模型中传输电流进行了研究.
SiGe HBT GP模型中传输电流研究
【摘 要】
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在分析SiGe HBT工作机理的基础上,建立了物理意义明确的SiGe HBT等效电路模型.模型中传输电流I的计算不能用漂移扩散理论,本文运用热电子发射理论对SiGe HBT GP模型中传输电
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所(西安)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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