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研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和磁撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决定器件的击穿特征.通过对实验研究与计算机模拟结果的分析,表明在不同的栅压下,此处场板长度的大小对栅下电场强度有直接的影响,合理地控制场板长度能有效的提高器件的击穿电压.