新型FGD器件驱动时序的研究

来源 :中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:helen_00_00
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新型FGD器件结合场发射与气体放电技术,不仅解决了FED高真空的问题,而且较PDP有更高的发光效率,及更低的功耗等优点.本文介绍了新型FGD的器件结构,并对其场发射源进行测试.而目前对该器件驱动方面的相关研究还十分罕有,本文通过结构与原理的对比,提出了适用于该器件结构的驱动方法,对该器件的研究有重要的发展意义.
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采用垂直石墨烯为阴极进行场发射性质测试,结果表明生长在铜基底上的垂直石墨烯具有低的开启电场和闽值电场。为了提高一维纳米材料的场发射性质和改善屏蔽效应对其的影响,采用Mo网作为模板在Si(111)基底上得到由催化剂纳米粒子形成的图案,通过化学气相沉积方法制备出大面积、分布均匀图案化的碳化硼纳米线。B4C纳米线的平均直径约为30nm,长度为20μm,且纳米线的生长具有一定方向性。与未图案化的B4C纳米
氧化钨纳米材料由于具有较低的开启电场和阈值电场,能够在较为温和的条件实现场致电子发射,所以被认为是一种优良的冷阴极纳米材料.但是近年来氧化钨纳米材料在场发射领域的发展遭遇到了一个瓶颈,即它的场发射均匀性无法满足其在平板显示领域的技术要求.本文中,提供一种原位等离子体处理工艺,可以有效提高氧化钨纳米线阵列的场发射特性.实验结果表明:经过本工艺处理后的氧化钨纳米线阵列发射址的分布均匀性高达88.2%,
本文采用光刻,电感耦合等离子体刻蚀及湿法刻蚀等微加工工艺得到硅棱结构,硅棱顶部通过氧化削尖,并最终制作一层氧化绝缘层。然后转移上石墨烯并制作左右电极。类比真空三极管,左右电极分别称为阴极(cathode)和栅极(gate)。
利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si衬底上,以CH4和H4为反应气体制备了纳米片状结构碳膜.利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对碳膜的结构和表面形貌进行了研究.在高真空系统中测量了纳米片状碳膜的场发射特性,纳米片状碳膜具有良好、稳定的场发射特性.当电流增加到10V/μm时,场发射电流达到66mA/cm2.将场发射电流数据分成三个区域,修改了传统的F-N模型和引入空间电荷限制电流(SCLC)