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石墨烯折角可控场发射的研究
石墨烯折角可控场发射的研究
来源 :中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:darkcome
【摘 要】
:
本文采用光刻,电感耦合等离子体刻蚀及湿法刻蚀等微加工工艺得到硅棱结构,硅棱顶部通过氧化削尖,并最终制作一层氧化绝缘层。然后转移上石墨烯并制作左右电极。类比真空三极管,左右电极分别称为阴极(cathode)和栅极(gate)。
【作 者】
:
刘卫华
庞凯歌
田康
魏仙奇
李昕
王小力
【机 构】
:
西安交通大学 电子与信息工程学院 微电子学系 西安交通大学 理学院 光学系
【出 处】
:
中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
【发表日期】
:
2013年11期
【关键词】
:
真空电子学
石墨烯折角
可控场发射
硅棱结构
加工工艺
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本文采用光刻,电感耦合等离子体刻蚀及湿法刻蚀等微加工工艺得到硅棱结构,硅棱顶部通过氧化削尖,并最终制作一层氧化绝缘层。然后转移上石墨烯并制作左右电极。类比真空三极管,左右电极分别称为阴极(cathode)和栅极(gate)。
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真空电子学
冷阴极材料
氧化钨纳米线阵列
原位等离子体处理工艺
场发射均匀性
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