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光栅形貌分析及矩形光栅的制作研究

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：m109bowen

【摘 要】

：

　　研究了光栅形貌(形状、深度、占空比等)对DFB激光器性能的影响，通过比较分析选择矩形光栅进行相关工艺的摸索。实验中采用电子束曝光技术在DFB激光器上波导层直接扫描曝光

【作 者】

：

Can Zhang 张灿 Li Ma 马丽 Song Liang 梁松 Baojun Wang 王宝军 Hongliang Zhu 朱洪亮 Wei Wang 王圩 

【机 构】

：

KeyLaboratoryofSemiconductorsMaterials,InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,Beijing,10

【出 处】

：

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2012年11期

【关键词】

：

半导体激光器 光栅形貌 电子束曝光 反应离子刻蚀 化学湿法腐蚀 均匀矩形光栅 

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论文部分内容阅读

　　研究了光栅形貌(形状、深度、占空比等)对DFB激光器性能的影响，通过比较分析选择矩形光栅进行相关工艺的摸索。实验中采用电子束曝光技术在DFB激光器上波导层直接扫描曝光制作周期为240 nm均匀光栅，然后采用反应离子刻蚀(RIE)和化学湿法腐蚀(Br2)相结合的方法成功制作了高垂直度、占空比约为5096的均匀矩形光栅。

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