A HIGHLY EFFICIENT METHOD FOR THE SYNTHESIS OF NITROGEN-CONTAINING MATERIALS USING UMPOLUNG ADDITION

来源 :10th IUPAC International Conference on Novel Materials and t | 被引量 : 0次 | 上传用户:jinhe_ieka
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We explored new intriguing reactions using conjugated imines and subsequent selective transformations.The following reactions will be discussed:1)Tandem N-Alkylation/Vinylogous Aldol Reaction of β,γ-Alkenyl α-Iminoester We have studied umpolung reactions of α-imino esters and have already reported N-alkylation-coupling reactions.
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基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压达到1.7V,饱和电流达到570mA/mm,最大跨导达到170mS/mm.器件的fT和fmax分别达到7GHz和16GHz.
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在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容,测试表明,该压控电容在0.1~15GHz的频率范围内具备压控调谐特性,在5GHz处,当外加电压15V时,电容获得30%调谐(367~530fF)。同批次制作的GaN HEMT性能测试表明,该电容的制作工艺与标准GaN MMIC工艺完全兼容。
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