【摘 要】
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在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容，测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性，在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF)。同批次制作的GaN HEMT性能测试表明，该电容的制作工艺与标准GaN MMIC工艺完全兼容。
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京 210016 空军驻江苏地区军事代表室,南京210016
【出 处】
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
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在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容，测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性，在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF)。同批次制作的GaN HEMT性能测试表明，该电容的制作工艺与标准GaN MMIC工艺完全兼容。
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