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本文对AlGaN/GaN HEMT进行了系统的直流和脉冲Ⅰ-Ⅴ测试,观察到在不同测试方法下跨导线性度存在明显的差异。基于该实验现象，提出了栅下势垒层区域中的类受主态陷阱是造成AlGaN/GaN HEMTs跨导非线性的原因。建立了一个基于陷阱充放电的物理模型，通过二维数值仿真，该模型得以验证。仿真计算表明，当栅下类受主陷阱浓度为1.2×1019 cm-3且其能级深度为导带下0.5eV时，仿真所得器件跨导的非线性特征与实验数据相一致。