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采用金属有机热分解方法制备了pb过量的钢铁酸铅（PLT）铁电薄膜。电子探针和俄歇电子能谱证实了过量Pb存在于PLT薄膜中和界面上。薄膜的I（t）曲线研究表明，Pb过量的PLT薄膜中存在有陷阱电荷。过量Pb引起的成分偏析与结构缺陷造成了在薄膜的禁带之间产生了许多从能带中分离出的电子能级，其中在靠近薄膜禁带中心附近的深能级上可俘获自白载流子而形成陷阶电荷。在退极化场的作用下，在畴壁上可聚集自由电荷和陷阱电荷，陷阱电荷对电畴产生钉扎，使得薄膜的电滞回线和C-V曲线出现了异常的束腰和四峰现象，自由电荷可屏蔽内部的退极化电场，从而减小了电畴重新定向的障碍，减轻了陷阶电荷对电畴的钉扎程度。薄膜经短路升温处理后，由畴壁上自由电荷和陷阱电荷的变化导致了电滞回线和C-V曲线的异常程度的变化。