反应离子刻蚀在高频声表面波器件中的应用研究

来源 :第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:big_moth123
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
高频声表面波器件制作成声表面波器件的特点,对影响刻蚀的主要工艺参数进行了较深入的研究,并应用于660MHz高频声表面波器件的制备,使其电性能及成品率改善明显,其中成品率从30﹪提高到60﹪以上.
其他文献
我们设计制作的25-33GHz单片低噪声放大器,采用电子束制作0.20μm"T"型栅,在频带内的噪声系数小于2.3dB,小信号增益大于15dB,增益平坦度小于±0.5dB,输入和输出驻波比分别小于2,芯片尺寸为3.0×1.9×O.1mm3,微波性能与国外同类产品水平相当.
纳米压印技术可实现纳米结构的图形转移,具有分辨率高、效率高、成本低的优点.通过对纳米压印过程中影响图形精度的一些因素进行分析,提出了相应的解决方法.利用研制的NIL-01型压印机进行工艺实验,给出纳米压印工艺实验的结果,并对结果进行了分析.采用镀有Cr的石英玻璃模版,在NIL-01型压印机上,用热压印技术可以压印出具有100nm特征尺寸的PMMA图形.
半导体工艺中的扩散、氧化、外延等工艺对温度的要求均十分严格,特别是液相外延,不仅要求控温精度高、单点稳定性好,而且在工艺过程中还要求恒温区能够随工艺过程实现平移,并且要求温度过冲小、稳定快.内、外热偶串级温度控制技术由于采用的是以工艺片附近真实工艺温度为控制对象,配以全工艺温度段的PID参数优化组合、跟踪调节运用,从而克服了常规温控方式在温度变化时反应滞后、温度波动大的缺点,以其精确控制和快响应速
人们早就认识到,如果将现有的速调管(一种微波电真空器件)缩尺到微米量级,就可以产生太赫兹(THz)辐射.然而,由于传统加工技术的限制,无法制造出微米量级的谐振腔和微型的能发射极高电流密度的阴极,而使THz速调管的研究一直停滞不前.近年来,随着微加工技术的发展,上述两个技术瓶颈已相继得到解决,此项研究又重新被人们所重视,并发展成了一个很热门的研究课题.本文详细地介绍了这种新型的微加工电真空器件--T
人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实验表明:在射频功率为200W、电极间距为9mm、工作压力为190mtorr,SF6和C12的流量分别为20sccm和30sccm的条件下,可以获得高达21.7nm/s的刻蚀速率.原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)表明:在其它条件下不变的条件下,
本文对利用电子束、离子束技术研制的SiC芯片进行了S参数在片测试方法研究,利用ADS2003软件,编写优化方程进行仿真,准确计算出SiC器件的单向功率增益Gu、共源电路短路下的电流增益H21,介绍了两种方法计算得出SiC器件的fT=6.7GHz、fmax=25GHz.
CH4、NH3和H2为反应气体,利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在无和有辉光放电的条件下制备了不同结构的碳纳米尖端,并用扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对碳纳米尖端进行了研究.结果表明碳纳米尖端是石墨结构,在有辉光放电时,能够形成顶角较小的碳纳米尖端.根据有关等离子体和溅射的理论分析,在有辉光放电时能够形成顶角较小的碳纳米尖端是由于离子的溅射刻蚀所致.
TTL-ECL电平转换集成电路是将输入的TTL电平信号转换成ECL电平输出信号的器件.国外多家公司均生产该器件,如MOTOROLA、MAREL、NATIONALSEMICONDUCTOR等公司,分为10K和100K两种系列,转换速率在400MHz.本文叙述了采用GaAsMESFET研制的电平转换器件,具有与TTL信号和ECL信号良好的接口能力、速度快的特点,速度可以达到700MHz,该器件制造过程
微光刻技术已被广泛地应用于微细加工的各个领域,通常其他领域技术人员没有采用集成电路版图设计软件生成光掩模数据,而是提供AutoCAD数据,然而AutoCAD不能直接生成光掩模制造用的版图数据,需要进行数据格式转换,而常用的数据转换软件存在着可靠性不强以及转换速度慢的缺点,因而,有必要对其进行深入的研究.本文在详细分析AutoCAD生成的图形交换格式文件(DXF文件)以及标准的掩模版图数据文件CIF
精密工件台是电子束曝光设备中的重要部件,改进精密工件台技术可以促进电子束曝光技术的进一步发展.本文以超声电机(UltrasonieMotor,缩写为USM)技术为基础,结合超精密定位技术,设计了一个以直线型超声电机为驱动装置的、采用粗微两级定位技术的精密工件台系统,并给出了控制系统的软件流程图.