论文部分内容阅读
采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对不同P 掺杂浓度正交相Ca2Si 的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算，比较不同浓度P 掺杂的几何结构、电子结构和光学性质。对不同P 含量下CaPx Si1－x 的几何结构比较研究得出：正交相CaPx Si1－x 仍然是直接带隙半导体切带隙随着P 掺杂浓度的增加而增加。