直接带隙半导体相关论文
抗生素具有可以挑战微生物种群的特性,因此在临床医疗,水产及畜牧养殖业被广泛应用。当抗生素被排放到自然界后,其被视为影响环境......
采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进......
在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料......
对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光......
理论上对ZnO能带的计算一般采用局域密度近似(LDA),而该方法得到的带隙结果却被严重的低估了。在本文中,我们在密度泛函理论的LDA......
据《化合物半导体》2010年2月4日新闻报导,MIT推出首款锗激光器。随着运算能力的增长,芯片需要更高的带宽连接以传输数据。传统的......
在建立瞬态光谱吸收系数模型的基础上,结合超快载流子动力学机制,建立了可以描述飞秒激光诱发直接带隙半导体瞬态漂白机制的理论模......
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法,计算了缺陷对CdS的电子结构和光电特性的影响。计算电子结构结果表明:CdS是带隙......
采用第一性原理方法系统地研究了ZnSnAs2晶体的能带结构、态密度、光学性质、动力学。计算结果表明ZnSnAs2晶体是直接带隙半导......
采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对不同P 掺杂浓度正交相Ca2Si 的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算，比较不同......
通过结构搜索软件calypso,预测了四种低密度高硬度的正交AlN结构(Pmn21-AlN,Pbam-AlN,Pbca-AlN和Cmcm-AlN).这四种结构都满足机械......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对本征碳化硅纳米管和掺氮碳化硅纳米管的电子结构进行了计算.计算表明本征(8,0)碳化硅为......
二维半导体材料因其可调的电子输运性质和巨大的应用潜力近年来受到广泛关注.单层磷化锗(GeP)是一种新型的二维半导体材料,具有良......
ZnO晶体为六方晶系纤锌矿结构,是一种宽禁带直接带隙半导体.由于其在室温下的禁带宽度和激子束缚能则分别高达3.37 eV和60 meV,这......
Cu20作为一种p型半导体,其p型特征是由固有的Cu原子空位引起的,具有禁带宽度窄(2.14eV)、为直接带隙半导体、且理论吸收系数(18%)......
作为一种宽禁带半导体,单斜结构的β-Ga2O3近年来备受人们关注,2012年,日本信息通信研究所首次报道了基于β-Ga2O3的场效应晶......
Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43eV(GaN)到0.63eV(InN)连续可调,波长范围覆盖了0.36μm......
本申请涉及具有光子膜的多功能纤维光学燃油传感器系统。燃油感测系统利用包含由直接带隙半导体材料(例如砷化镓)制成的膜的纤维光......
运用精确的量子蒙特卡洛技术，研究了直接带隙半导体系统（Haldane—Anderson模型）中的磁相互作用．精确的数值解揭示了两种截然不同的自......
薄膜太阳能电池是全球光伏领域争相研发的焦点之一。介绍并探讨了目前最受瞩目的四大类薄膜太阳能电池的研究现状和应用进展。进而......
随着柔性透明电子技术的兴起,二维半导体材料近年来备受关注,特别是直接带隙特性使得这些二维结构有望应用在光电子学领域。在过去......
少数层MoSe_2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe_2二维材料的特性,简述了MoSe_2二维纳米......
