论文部分内容阅读
ＣＡＬＰＨＡＤ技术与Ⅲ－Ｖ族合金半导体ＭＯＣＶＤ外延工艺设计
【机 构】
：
北京科技大学
【出 处】
：
第八届全国相图学术会议
【发表日期】
：
1995年期
其他文献
国内投融资企业诞生于特殊的历史时期,对地方经济建设贡献巨大,然而因其野蛮生长并带有强力的行政色彩,企业运行市场化程度低、内部监控缺乏,目前普遍存在发展后劲不足等问题
该文报导采用偏光电反射（ER）法测定N[*+*]-P结Si的间接光学带隙。在1.05-1.90ev入射光子能量范围内，观测到两组ER结构。对ER谱采用Aspnes三点调整法计算带间能量，初步确定：室温（293
为全面加快竣工项目决算转资,及时规范做实有效资产,适应国家输配电价监审要求.在公司党委的领导下,国网洛阳供电公司以按期完成项目决算转资为目标,持续深化“五位一体”建
该文阐述了集成电路用半导体材料的完整性，均匀性及相关工艺设备与检测技术的发展趋势；当前大直径硅片的研究热点及硅基材料开发的新动向；跨世纪期间半导体材料产业发展及材料、
信用卡业务是商业银行主营业务之一,信用卡也越来越受到广大消费者的关注与欢迎.随着近年来商业银行信用卡业务竞争的加剧,市场的拼杀进入白热化,商业银行信用卡业务的发展也
该会议文集论述了重掺单晶硅中氧含量的ＳＩＭＳ定量测定，硅上钛膜快速热退火的ＸＲＤ和ＡＥＳ测试分析，ＶＬＳＩ晶片离子注入沾污的检测与失效分析，吸杂晶片洁净度的无损检测，硅中的氮及其对氧沉淀的影响，硅表
本文简述了国有企业融资的必要性,可以使企业快速,稳定,健康地发展,以实现产品技术创新.指出了当前国有企业融资存在的问题,包括内部融资严重不足,企业的融资结构单一,过度依