Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体相关论文
以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是半导体材料非常重要的组成部分.同共它半导体材料(主要是Si、Ge)相比,这类半导体具有禁带......
学位
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70......
4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs......
依据现有相关的功能晶体材料导热系数实验数据,寻求了晶体材料导热系数与平均原子密度和平均原子量之间关联的经验方程,并对Ⅲ-V族......
基于Si的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMO S)器件跟随摩尔定律不断的按比例缩小已有几十载......
锌(Zn)是一种P型掺杂物质,其气相扩散过程可广泛应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(GaSb、GaAs、GaP、InAs等)的P型掺杂工艺,因此研究Zn在......
<正>2014年,天津三安光电公司报道,他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP/GaInAs/Ge高倍聚光电池,并进行了规模生产,聚光电池效率......
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.......
<正>1 Ga As材料和太阳电池的特点以Ga As为代表的III-V族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢?这与它们材料的特性,以及所......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体多结太阳电池具有显著降低光伏发电成本的潜力,其中三结太阳电池的效率已经超过42%,效率的进一步增加取决于材......
学位
本论文主要针对Ⅲ—Ⅴ族量子级联激光器的实验材料,进行了XRD以及PL谱的分析。目的是得到材料的精确的厚度以及组分,与我们所预期......
随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材......
会议
