Development of GaN-based materials and optoelectronic devices on silicon substrate

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jonathan
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
Ⅲ-Nitride semiconductor is a fantastic family system,composed of binary (AlN,GaN,InN),Ternary (InAlN,AlGaN and InGaN) and quaternary (InAlGaN) materials.Due to their excellent physical properties,the scope of applications of this material system may cover very wide range from optoelectronic devices to electronic devices and solar cells.
其他文献
本文报道了通过插入Si间断掺杂N型层,显著提升氮化物LED的发光效率以及静电放电(ESD)能力;并通过材料、电学、光学等各种测试,深入研究了其性能改善的机理.我们通过金属有机
会议
他是中国翻译界的领军人物,对《尤利西斯》的成功翻译让他享誉世界。他视工作为生命,年近九旬,每天笔耕不辍。《文学翻译的道路》一书即将由香港某出版社以繁简两种汉字出版
AlGaN alloys are the most promising materials for ultraviolet (UV) detection in the solar-blind (200-290 nm) region.[1] For applications such as flame detection
会议
量子点晶体的概念是类比于原子晶体而得到的.即,将每个量子点看成一个“人工原子”,将由量子限制效应而产生的量子点局域化分立能级类比于原子能级,当量子点系综空间三维排列
ZnS 作为宽禁带半导体材料(纤锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.77eV,闪锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.72eV),已在紫外激光器、传感器、光电探测器等广泛应用.ZnS纳米线、纳米
拓扑绝缘体近年来是表面物理,凝聚态理论物理和拓扑场论的研究热点.传统的拓扑能带绝缘体具有时间反演对称性,而当其表面的时间反演对称被破坏时,能产生许多有趣的态,以及诸
自从1983年被发明以来1,扫描隧道显微镜在表征物质的电子结构和局域态密度方面显示了巨大的应用价值.值得注意的是,那些让人感兴趣的样品尺寸上往往是比较小的,有很多是在微