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我国工业硅生产、科技发展动态及其对策的思考
【机 构】
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贵阳铝镁设计研究院
【出 处】
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第二届全国轻金属冶金学术会议
【发表日期】
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1990年期
其他文献
该文在900—1200℃下，分别在空气自然对流、空气流量为20ml／min的条件下，对（111）单晶硅进行了等温氧化动力学研究并观察了氧化膜的形貌，提出了（111）单晶硅干氧氧化动力学满足化学反应
含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失。文章进一步研究了氮－新施主