【摘 要】
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采用固相反应法,制备了Al3+掺杂的钴铁氧体CoFe2-xAlxO4 (x=0.000,0.012,0.023,0.035,0.069,0.092)系列样品.从XRD的结果分析,钴铁氧体磁性离子间跃迁距离随x的增加而降低,表明Al3+掺杂进入了尖晶石晶格,拉曼光谱的结果验证了这一结论.当x≤0.069,随着x的增大,钴铁氧体直流电阻率增加约2个数量级;当x＞0.069,直流电阻率开始下降.微量Al
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采用固相反应法,制备了Al3+掺杂的钴铁氧体CoFe2-xAlxO4 (x=0.000,0.012,0.023,0.035,0.069,0.092)系列样品.从XRD的结果分析,钴铁氧体磁性离子间跃迁距离随x的增加而降低,表明Al3+掺杂进入了尖晶石晶格,拉曼光谱的结果验证了这一结论.当x≤0.069,随着x的增大,钴铁氧体直流电阻率增加约2个数量级;当x＞0.069,直流电阻率开始下降.微量Al3+掺杂后钴铁氧体的矫顽力略有降低,但饱和磁化强度增加.最大磁致伸缩量比未掺杂Al3+的低,但磁致伸缩系数增加.
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采用传统电子陶瓷方法制备了(0.94-x)K0.49Na0.51NbO3-xBaTiO3-0.06BaZrO3(x=0～0.04 mol,简称KNN-BT-BZ)体系无铅压电陶瓷,研究BaTiO3含量对该体系陶瓷的晶体结构与压电、介电性能的影响.结果表明:所研究组成范围内所有陶瓷样品均具有单一钙钛矿结构,随着BaTiO3含量x的增加,陶瓷的压电常数d33、平面机电耦合系数kp先增加后降低,机械品质
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采用固相反应法制备了(1-x)(K0.49Na0.51)0.98Li0.02(Nb0.77Ta0.18Sb0.05)O3-x(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O3 [(1-x)KNLNTS-xBCZT,x=0～0.02]无铅压电陶瓷,系统研究了BCZT掺杂量对陶瓷电性能的影响.结果表明:BCZT的适量掺入有效地降低了陶瓷的介电损耗,使晶粒细化,增加了陶瓷致密度.随着BCZT掺杂量
BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗.采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷.X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构.同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1 kHz～1 GHz频率范围内为8～10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料
采用燃烧合成结合准热等静压技术(SHS/PHIP)成功制备了大尺寸Ti3AlC2块体陶瓷材料,确定了用自蔓延准热等静压(SHS/PHIP)法制备大尺寸Ti3AlC2块体陶瓷材料的最佳原料配比.利用X射线衍射(xRD)、扫描电镜(SEM)手段对产物进行了分析,XRD结果表明反应产物中只含有Ti3AlC2陶瓷相,SEM分析发现制备的产物为层片状组织结构.而且由于层状显微结构的存在,使得该材料的性能比较
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