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磁光存储材料是磁信息存储领域中一个非常重要的研究方向。磁光存储技术及其磁光存储材料的研制对推动大容量、高密度、可擦除信息存储技术的发展具有重要的科学意义。TbFeCo作为第一代磁光盘存储材料，已进入商业化阶段。但是，由于稀土元素的抗氧化性能差，对需永久保存的文档是一个隐患，同时由于难以在短波长下工作，使得存储密度很难再提高。因此，开发新一代短波长磁光记录材料势在必行。 尖晶石型钴铁氧体具有高的饱和磁化强度和磁晶各向异性，优良的机械耐磨性和化学稳定性，并且在400—500nm短波长段具有良好的磁光克尔效应。因而被认为是一种具有潜力的高密度磁光信息存储介质。近年来，得到人们越来越高的关注，围绕着这类材料开展了广泛而深入的研究。目前主要问题是在保持饱和磁化强度不变的条件下进一步提高矫顽力，同时降低居里点，希望获得适合高密度磁记录水平的磁光读写特性。 本文采用溶胶—凝胶自燃烧法制备了纳米尺度的锌钴铁氧CoxCryFe3-y-xO4系列粉体，在宽的阳离子含量变化范围内，运用X-射线衍射仪（XRD）和振动样品磁强计（VSM）测量和分析了样品的结构和磁性，系统而深入地研究了热处理过程对结构相变以及钴、铬离子代换对其结构和磁性能的影响，得到以下主要研究结果： 1、系统地研究了CoxFe3-xO4结构相变过程和磁性能。实验发现，钴含量对CoxFe3-xO4的微结构影响很大，在x＜0.7时，同时生成了尖晶石相和α-Fe2O3相。在x≥0.7时，样品为单一的尖晶石相钴铁氧体。实验表明，适当增大钴含量有利于饱和磁化强度的提高。 2、系统地研究了Cr2+离子含量对Co0.8CryFe2.2-yO4（y=0.2，0.4，0.6，0.8）结构和磁性能的影响。实验发现，通过对CoFe2O4进行Cr2+离子代换，可以进一步改善样品的磁性能，适当降低铬离子含量有利于提高磁性能。在y≤0.4范围内，矫顽力在比饱和磁化强度变化不大的前提下有了较大幅度的提高。同时发现，较高的退火温度有利于提高样品的饱和磁化强度。Co0.8CryFe2.2-yO4（y=0.2）的矫顽力为596.7Oe，比和磁化强度达到79.3emu／g，这对于用作磁光记录材料是非常有利的。