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ZnS是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.72～3.77eV,在太阳能电池、LED等光电方面有广泛地应用.ZnS具有良好的光学性能,但其发光机制尚缺乏系统性的理论基础.脉冲激光沉积法(PLD)具有沉积速率快、能保持制备的薄膜与靶材组分一致、可在较低温度条件下制备薄膜等优点.
PLD法制备ZnS薄膜及其发光性能研究
【摘 要】
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ZnS是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.72～3.77eV,在太阳能电池、LED等光电方面有广泛地应用.ZnS具有良好的光学性能,但其发光机制尚缺乏系统性的理论基础.脉冲激光
【机 构】
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扬州大学物理科学与技术学院,扬州 225002
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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