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本文采用磁控溅射方法制备了基于多晶氧化锌(ZnO)薄膜的紫外光电探测单元并在空气氛围下对样品进行了光电导和低频电流噪声测试.实......
ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,因其具有很多特性,有望成为新一代光电材料。本文利用热注入法合成分散性良好的ZnO纳米晶,......
ZnO作为GaN后的第三代半导体材料,由于其宽带隙、成本低、易于制备,使其在光电子应用非常广泛,例如LED,激光二极管,紫外光探测器。......
