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微电子制造产业一直在促进光刻技术获得越来越小的特征图形尺寸。传统光刻技术在获得90nm以下特征尺寸时，面临着诸多困难。下一代光刻技术，作为实现分辨率为65nm～32nm的接力技术的研究正方兴未艾。通过介绍光刻技术所面临的挑战，揭示光刻技术的研究现状和下一代光刻技术发展潜力。通过比较具有较大潜力的下一代光刻技术特点和关键技术，预测光刻技术的发展趋势。