SIMOX SOI晶片顶层硅、埋层厚度及均匀性的分析研究

来源 :第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:csh911229
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本文对SIMOXSOI材料的顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性进行了分析计算,并对注入过程中影响注入能量和剂量的参数进行了改进和控制,结果表明,有效地保证了材料中顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性的指标.
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