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研究了P型AIGaN电子势垒层对大功率Si衬底GaN基LED光电性能的影响。设计制作了三种不同材料结构的器件：(1)无P型AlGaN；(2)有P型AlGaN和(5)有P型AlGaN且阱稍窄。通过对比分析三种器件的测试数据，发现了P型AlGaN作为电子势垒层可在一定电流范围内提高器件的外量子效率；但同时也使得器件的波长蓝移增大。阱变窄解决了波长蓝移问题。