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用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层，用ＸＲＤ、ＳＥＭ分析了掺杂层的物相和表面形貌。分析表明在强流离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类与注入离子剂量、束流密度及后续热处理条件紧密相关。对Ｌａ硅化物的形成过程进行了讨论。
离子注入形成硅化物相的研究
【摘 要】
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用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层，用ＸＲＤ、ＳＥＭ分析了掺杂层的物相和表面形貌。分析表明在强流离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类与注入离子剂量、束流密度及后续
【机 构】
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师范大学低能核物理研究所(北京辐射中心)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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