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半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐蚀法、TEM和PL Mapping技术,系统的研究了位错和微缺陷,查明微缺陷的物理实质,并找出位错和微缺陷的相互作用.
半绝缘砷化镓中位错与微缺陷的相互作用
【摘 要】
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半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐蚀法、TEM和PL Mapping技术,系统的研究了位
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年期
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