金属量子点接触结构自1998年第一次被报道后,就成为了表面科学、新型电子器件等领域的研究热点之一.实验和理论结果都已证实,诸如碱金属或者金、银等贵金属的点接触结构,在低偏压下的电导为1.0 G0(20G 2e h为单位量子电导).但是,若在这些量子点接触结构中引入其它原子或分子杂质,其电导性质则会出现很大变化.例如,Aradhya等人在室温大气环境下利用原子力显微镜和扫描隧道显微镜研究了银量子点接触结构的电导[1],发现除1.0 G0外在～0.4 G0和～1.3 G0还存在电导峰；他们猜想～0.4 G0电导可能来源于氧原子桥连在银量子点接触中形成的“串联”构型(AgO-S,Fig.1(b)),而～1.3 G0电导则可能来源于氧原子在银量子点接触中形成的“并联”构型(AgO-P,Fig.1(c)).为了深入理解O原子掺杂的银量子点接触结构的导电机制,我们利用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合方法(NEGF+DFT)研究了几种银量子点接触构型(Fig.1(a)-(d))的电子输运特性.我们的计算结果表明, AgO-P构型的低偏压电导远低于1.0 G0从而对～1.3 G0电导峰没有贡献；进一步结合力学特性计算结果,我们推测～1.3 G0电导可能起源于有两个氧原子对称掺杂的银量子点接触构型(Fig.1(d)).