铟镓锌氧化物薄膜晶体管相关论文
本研究尝试于柔性塑料基板上,进行300℃铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZ0)薄膜晶体管阵列与电泳显示模组制作,制备一......
本论文探讨了不同铟镓锌氧化物半导体(IGZO)界面对氧化物半导体电特性的影响,并对其中界面较好有好的电特性的器件进行了信赖性测......
会议
本文提出了一种采用铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器的新型补偿结构。它利用数据线关......
为优化金属氧化物薄膜晶体管（IGZO-TFT）的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层（Etch stop la......
论述了IGZO TFT技术的背景、技术优势和应用。详细介绍了IGZO TFT的结构,性能和生产工艺,并对IGZO TFT生产线存在的问题和发展趋势......
期刊
提出了一种铟镓锌氧化物(Indium-Gallium-Zinc-Oxide,IGZO)薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFT)集成的有源矩阵有机发光二极管(......
