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为优化金属氧化物薄膜晶体管（IGZO-TFT）的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层（Etch stop layer,ESL）结构的IGZO TFT,在2.5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2O/Si H4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（Vth）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IG