退火偏置相关论文
介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同退火偏置、不同退火温度条件下,运放整体性能电参数、电路内部单管特性及功能单元电......
该文对比了加固ＭＯＳＦＥＴ在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性，特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进......
研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐射退火表现。结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高......
探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置......
