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利用两步化学气相沉积的方法，构建垂直型范德华尔斯外延的In2Se3／MoSe2异质结构．透射电子显微镜表征显示In2Se3与单层MoSe2具有一致的......
过渡金属硫属化物（TMDs）由于其强大的光吸收,高的转换效率以及易于构建没有晶格畸变的范德华尔斯异质结（vdWH）等特性,在构建新型光电探......
近年来,二维层状半导体材料,包括过渡金属族硫属元素化物(TMDs)(MX2,其中M为过渡金属如Mo或W,X为S,Se或Te)和Ⅲ-Ⅵ族层状化合物(MX......
