自停止腐蚀相关论文
设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构，其中上下两层为固定电极，中间两层为......
MEMS器件的性能与尺寸密切相关。介绍了一种精确控制器件尺寸的各向异性腐蚀方法——基于改进TMAH溶液的PN结自停止腐蚀。这种方法......
为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究。结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采......
提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性......
特征尺度在亚微米和纳米梁结构是多种纳微机电器件的基本结构。由于纳米梁对结构中的内应力非常敏感,所以一般采用单晶材料制作。......
双面接触式电容压力传感器除了具有单面接触式电容压力传感器的优点 ,还有它的特别之处 :双面接触式电容压力传感器被施加同样的压......
期刊
微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一．研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制......
