绝缘体上锗硅相关论文
利用高温常压氧化技术对外延生长SiGe层的SiGe/SOI结构进行高温氧化,研究了氧化过程中SiGe层中Ge、Si元素浓度变化情况.结果表明Ge......
高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔.本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系......
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化......
利用SiGe/SOI材料的高温常压氧化技术,研制了SGOI材料。通过透射电镜和Raman光谱分析,获得了SGOI材料的微结构和成份特性。实验结......
微电子技术沿着摩尔定律从65nm、45nm不断推进至当前的14nm节点,不远的未来将发展至10/7nm节点,摩尔定律的发展面临着严峻的挑战。......
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