纳米多孔SiO2薄膜相关论文
以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜。XRD表明薄膜为无定形态;SEM......
用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI)的互连延迟、串扰和能耗.从介质极化的原理出发,揭示了......
采用TMCS对超临界干燥后的纳米多孔SiO2薄膜进行疏水处理，利用FTIR、SEM、椭偏仪和LCR测量仪等对薄膜的性能进行表征。研究表明：TMCS......
以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该S......
纳米多孔SiO2薄膜的各种优异性能，使其在众多领域中占有极大的应用潜力。对一些新的制备纳米多孔SiO2薄膜的方法如自组装法、酸碱两......
以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法 ,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了SiO2薄膜.XRD和AFM表明该......
纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力.文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的......
期刊
以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜。XRD表明薄膜为无定形态;SEM......
纳米多孔SiO2薄膜具有介电常数低、与集成电路工艺兼容性好等优点,在未来超大规模集成电路（ULSI）和微波功率器件互连系统的绝缘介质......
