硼离子注入相关论文
为准确描述硼离子注入硅后缺陷/杂质的动力学物理过程,获得硼浓度空间分布及其演化行为,构建一个跨尺度带电缺陷动力学模型,考虑离......
金刚石的光谱透过范围宽,折射率高(2.4),光交换性能好,在中红外区域波长范围内的光衰减低于1 dB/cm其禁带宽度远大于同族元素硅和......
硅基半导体器件被广泛应用于国防所需的高性能微电子和光电子器件等领域。在这些应用场景中,载能粒子辐射不可避免。尤其在高能离......
制造在兰紫光波段内高量子效率的PIN光电二极管,浅结是必要的.为了达到线结,硼离子注入后,使用了1000℃、30s的高温快速热退火.对......
该论文的工作主要包括以下四个方面:1)研究了用能量密度等离子体法来促进金刚石在异质衬底上的高密度形核,发现金刚石在经过高温高......
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质......
利用硼离子B+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B+注入能够有效地降低薄......
利用硼离子B^+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B^+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究,实验结果表明,B^+注入能够有效地降低薄......
为了进--步优化同轴型高纯锗探测器离子注入工艺参数,利用Silvaco半导体仿真软件和SRIM离子注入仿真软件对离子注入过程进行模拟,......
用剥层霍耳测量分析了MBE生长HgCdTe薄膜的B离子注入的电学特性,测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布,当剥层腐蚀到结区,结区增透此起的红外......
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布。在适当的测量深度,用扩展电阻探针技术测量 得的结果对二次离子......
NEC最近开发了高性能0.15w最先进的逻辑CMOS技术。其特点如下:(l)采用侧壁硼离子注入的新开发的ffi,实现了栅宽为0.Zap而阈值电压仍不低......