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硅片封闭技术相关论文
TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用
液态硅源硅酸乙酯(TEOS)在700~750℃分解的LPCVD工艺,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到20~30nm/min,薄膜的厚度均匀性小于1﹪,这些优......
会议
工艺特性
硅片封闭技术
薄膜沉积
使用安全性
厚度均匀性
硅酸乙酯
二氧化硅
应用
液态
速率
硅源
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