硅基GaN 相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

硅基GaN相关论文

硅基GaN紫外探测器研究

紫外探测器在高科技领域具有重要且广泛的应用背景.氮化镓(GaN)是一种直接带隙的宽带隙(～3.4 eV)化合物半导体材料，具有热/化学稳定......

会议

Si-NPA 硅基GaN 紫外光探测

InAlGaN薄膜和硅基GaN的HRXRD表征

...

期刊

InAlGaN薄膜硅基GAN HRXRD表征氮化物 III族量子阱晶格

硅基GaN功率MISFET新结构研究

由于GaN能和AlGaN等多元合金形成异质结并在异质结界面形成高迁移率的二维电子气(2DEG)且具有高禁带宽度,所以第三代半导体GaN异质......

学位

硅基GaN AlGaN/GaN MISFET 隧穿浅场板集成栅

看过本文同时还关注