石墨烯器件相关论文
随着MOSFET 等半导体器件按摩尔定律持续等比缩小,单个芯片上集成的晶体管数量成指数增加,同时产品的功耗也逐渐降低。当MOS ......
高效、高速和高集成是未来光子学器件的发展趋势。为实现这些目标,人们做了大量的研究并由此衍生了许多新兴学科,例如硅基光子学和......
石墨烯因其高迁移率、高热导率、高强度、高透明性和柔性等独特性能引起了物理、化学、材料、电子等多领域的密切关注。作为自然界......
由于其独特的二维结构和物理性质，石墨烯自2004年被发现以来，迅速成为了最为热门的纳米材料。超高的载流子迁移率和费米速度、单原子......
本文主要研究了石墨烯的制备以及其在表面张力作用下、沉积金属之后、吸附分子形成复合物等所表现出的拉曼谱特性。主要内容如下： ......
摩尔定律预言:集成电路上的晶体管数目每隔18-24个月会增加一倍。作为一种观察定律，这种趋势已经持续了半个多世纪，并将持续到2020年......
<正>自2004年安德烈·K·海姆(Andre Geim)教授和科斯佳·诺沃谢洛夫(Kostya Novoselov)研究员首次制备出石墨烯以来,石墨烯受到了......
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO2是必然选择.然而,由于高......
在目前众多的石墨烯制备方法中，SiC外延生长石墨烯由于能和主流的CMOS工艺相兼容并且不需要衬底转移而受到研究人员的高度关注。然......
