电阻转变效应相关论文
近年来,基于电阻转变效应的电阻随机存取存储器(RRAM)成为了研究热点 [1].多铁性BiFeO3 薄膜也表现出了电阻转变效应 [2],这为其实......
电随机存储器(RRAM)是下一代非易失存储器中最具应用潜能的材料之一,其结构简单、存储密度高、读／写速度快、低功耗并且与CMOS工艺......
随着半导体技术的快速发展，各种新型非易失性存储器(NVM)应运而生，主要包括铁电存储器(FRAM)、磁电阻存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM......
信息技术的快速发展依赖于高速度、大容量、长寿命、低功耗和易操作的存储器，但传统的非易失性存储器，如EEPROM、FLASH等已难以满足......
由于现代科技的发展,人们对存储提出了更高的要求。这迫切需要在存储器材料和技术方面取得新的突破。在新型存储器中,阻变存储器(R......
采用脉冲激光沉积技术制备了Ag/ZnO/Pt和Ag/ZnO-Ti/Pt阻变存储器。与Ag/ZnO/Pt相比,Ag/ZnO-Ti/Pt的阻变性能得到了显著的改善。对T......
通过固相烧结和高能球磨后热处理两种方法分别得到不具晶（相）界和具有明显晶（相）界的两种Nd（0.7）Sr（0.3）MnO3陶瓷样品,并用两线法和四线法......
采用脉冲激光沉积技术制备了Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt(Ti/PCMO/Pt)和底电极为La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)的Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/La0.67Sr0.......
